根据激励方式的不同,半导体材料的发光机制有两种()。
A. 光致发光
B. 电致发光
C. 直接发光
D. 本征发光
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半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐射复合又包括()。
A. 自发辐射复合
B. 受激辐射复合
C. 直接辐射复合
D. 间接辐射复合
由于半导体材料能带结构的不同,带间辐射复合又可以分为两种()。
A. 自发辐射复合
B. 受激辐射复合
C. 直接辐射复合
D. 间接辐射复合
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。( )
只有沿极性面生长的GaN量子阱结构才会有自发极化和压电极化效应。( )
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