题目内容

异质结的制备方法通常包括()

A. 液相外延
B. 金属有机化学气相沉积MOCVD
C. 分子束外延MBE

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在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。( )

由于晶格失配的存在,在异质结界面处会出现未配对的悬挂键,从而引起晶格缺陷,产生应变、位错。( )

GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。( )

金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分析,其中()主要适用于势垒宽度远大于电子平均自由程的情况。

A. 扩散理论
B. 热电子发射理论