GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。( )
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金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分析,其中()主要适用于势垒宽度远大于电子平均自由程的情况。
A. 扩散理论
B. 热电子发射理论
另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情况。
A. 远大于
B. 远小于
肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括()
A. 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件
B. 肖特基二极管无电荷存储,而PN结二极管有电荷存储效应
C. 肖特基二极管适用于高频器件,而PN结二极管适用于低频器件
D. 肖特基二极管开启电压相对较小
实际情况下的金半接触由于镜像力和隧道效应的影响,使其反向偏压的电流增大,而且会随着反向偏压增加而快速增大。( )
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