题目内容

半导体异质结的特性主要包括()

A. 高注入比
B. 超注入比
C. 对载流子和光场有限制作用
D. 窗口效应

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在半导体激光器中注入比决定了激光器的阈值电流密度和注入效率。( )

决定同质结晶体管注入比的是掺杂浓度,要得到高注入比,PN结的一边应高掺杂。( )

决定渐变异质结注入比的关键因素是半导体禁带宽度的差。( )

半导体激光器中采用异质结结构有利于实现粒子数反转分布。( )

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