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决定渐变异质结注入比的关键因素是半导体禁带宽度的差。( )

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半导体激光器中采用异质结结构有利于实现粒子数反转分布。( )

n-Si/p-Si形成的PN结被称为()。

A. 同质PN结
B. 异质PN结
C. 同型异质结

n-GaAs/p-AlGaAs形成的PN结被称为()。

A. 同质PN结
B. 异质PN结
C. 同型异质结

n-GaN/n-AlGaN形成的结被称为()。

A. 同质PN结
B. 异质PN结
C. 同型异质结