GaN半导体中通过掺杂其他元素可以调节其禁带宽度大小,其中掺杂()元素形成三元固溶体化合物可以使GaN的禁带宽度减小。
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在某些半导体器件中(晶体管、半导体激光器),注入比是一个很重要的物理量,在异质结中可以用禁带宽度()的材料做成效率很高的发射极。
A. 大
B. 小
C. 相差不大
目前合成白光LED的方法有()。
A. 蓝光LED加黄光荧光粉
B. 紫外LED加红绿蓝荧光粉
C. 红绿蓝三基色LED
D. 多隧道结单芯片LED
PN结产生隧道电流的条件包括()。
A. 费米能级位于导带或价带的内部
B. 空间电荷区的宽度很窄
C. 在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的状态
D. 半导体均为简并半导体
产生光放大的必要条件是实现粒子数反转分布,半导体激光器实现粒子数反转分布的条件是()。
A. 采用非简并半导体
B. 采用简并半导体
C. 采用重掺杂半导体
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