在集成电路放大器中,常用( )或( )MOSFET 做成电流源作为偏置电路或有源负载。
A. 增强型;耗尽型
B. NPN型;PNP 型
C. 电子沟道:空穴沟道
D. 硅管;锗管
场效应管的电极有( )。
A. 基极b、发射极c、集电极e
B. 源极s、栅极 g、漏极d
C. 阴极、阳极
D. 阴极、阳极、门级
场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和( )场效应管两种。
A. G沟道
B. P沟道
C. 绝缘栅型
D. 结型
关于场效应管,下列说法错误的是( )。
A. 场效应管只有一种载流子导电,所以是单极型器件
B. 场效应管是电压控制电流型器件,分为MOSFET和JFET两大类
C. MOSFET分N沟道和P沟道,按照导电沟道形成机理不同,NMOS 管和PMOS 管又各有增
D. JFET也分N沟道和P沟道,所以也各有增强型和耗尽型两种
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