场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和( )场效应管两种。
A. G沟道
B. P沟道
C. 绝缘栅型
D. 结型
关于场效应管,下列说法错误的是( )。
A. 场效应管只有一种载流子导电,所以是单极型器件
B. 场效应管是电压控制电流型器件,分为MOSFET和JFET两大类
C. MOSFET分N沟道和P沟道,按照导电沟道形成机理不同,NMOS 管和PMOS 管又各有增
D. JFET也分N沟道和P沟道,所以也各有增强型和耗尽型两种
场效应管的栅极相当于双极性晶体管的( )
A. 发射极
B. 集电极
C. 基极
D. 源极
场效应管的主要特点是( )。
A. 电压放大倍数小于1,输入阻抗低,输出阻抗高
B. 电压放大倍数小于1,输入阻抗高,输出阻抗低
C. 电压放大倍数大于1,输入阻抗低,输出阻抗高
D. 电压放大倍数大于1,输入阻抗高,输出阻抗低