另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情况。
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肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括()
A. 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件
B. 肖特基二极管无电荷存储,而PN结二极管有电荷存储效应
C. 肖特基二极管适用于高频器件,而PN结二极管适用于低频器件
D. 肖特基二极管开启电压相对较小
实际情况下的金半接触由于镜像力和隧道效应的影响,使其反向偏压的电流增大,而且会随着反向偏压增加而快速增大。( )
金属和重掺杂半导体接触时,不论金属和半导体功函数的大小,这种金半接触均为欧姆接触。( )
真空能级与半导体导带底之间的能量差是指()。
A. 功函数
B. 电子亲和势
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