题目内容

硅淀积和外延生长中，硅过饱和度升高，则淀积速率（）

A．升高
B．降低
C．不变

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用Ag做靶材原子时，下列元素做入射离子时，哪个元素的溅射率最高( )

A．S
B．Si
C．Ar

直流辉光放电时，负辉光区的大部分分子状态处于 ( )

A．基态
B．激发态
C．离子态

溅射镀膜时，下列哪个放电区是溅射区域( )

A．正常辉光放电区
B．异常辉光放电区
C．汤森放电区

测量同一种薄膜时，下列哪种膜厚测量值最大( )

A．形状膜厚dT
B．质量膜厚dM
C．物性膜厚dP