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某公司拟在工业园区建设一电子元器件生产企业A厂。由于元器件生产以硅片为基材，经氨水清洗、氢氟酸/磷酸蚀刻、砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程见下图。 掺杂工序和化学镀工序流程 生产过程中产生的清洁下水、蚀刻废水、尾气洗涤塔废水、化学镀废水经预处理后进最终中和池，最终中和池出水排入园区污水处理厂。废水预处理后的情况见下表。园区污水处理厂处理能力为5.0万m3/d，目前实际处理量为3.3万m3/d，接管水质要求为COD 350mg/L，NH3-N 25mg/L，TP 8mg/L，其他指标需达到GB 8978—1996表1及表4三级排放标准(氟化物20mg/L，Cu 2.0mg/L，As 0.5mg/L)。氨水清洗工序产生的清洗废水中氨含量为0.02%，为降低废水中氨浓度，拟采取热交换吹脱法除氨，氨的吹脱效率为80%，吹脱出的氨经15m高排气筒排放(GB 14554—93规定，15m高排气筒氨排放量限值为4.9kg/h)。 废水预处理情况一览废水预处理方法排放规律水量/(m3/d))出水水质/(mg/L)CODNH3-NTPFAsCu清洗废水吹脱法连续120015040 蚀刻废水絮凝沉淀法连续36001505208 尾气洗涤塔废水絮凝沉淀法连续120200 1.0 化学镀废水絮凝沉淀法连续36050 5.0 列出5种凝沉淀法常用的化学药剂。
某电子企业芯片生产线建设项目，1999年完成环评。环保局批准建设。2000年7月开工建设，2002年2月企业向环保局提出在原环评批复的污水排放量基础上增加1000t/d污水排放量的申请，并获环保局批准。2003年3月建成并投入试生产。各生产工艺污水中含有氟、氨等污染因子，同时部分污水中含有砷和镍等污染因子。污水来源、处理及流向见下图。在建设项目竣工环境保护验收监测中，对污水总排放口水质监测结果见下表。企业污水排放执行GB 8978—1996表1和表4的二级标准：COD 150mg/L，氨氮25mg/L、总砷0.5mg/L、总镍1.0mg/L、氟化物10mg/L。 该企业污水处理及流向示意 该企业污水总排口污水监测结果 单位：mg/L COD氨氮氟化物总砷总镍第一天16011.015.60.020.0225510.114.40.010.0134518.017.10.010.0145511.315.30.020.01日均值5412.615.60.020.01第二天1528.010.50.010.022459.018.30.020.013559.815.20.010.0146310.820.00.020.01日均值549.416.00.020.01 检查氟化物处理设施处理效率的监测点位应在示意图中______处。
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拟建年产电子元件144万件，该厂年生产300d，每天工作1班，每班8h。各车间的厂房高12m，废气处理装置的排气筒均设置在厂房外侧，配套建设车间废水预处理设施和全厂污水处理站。 喷涂和烘干车间的单件产品二甲苯产生量为5g，产生的含二甲苯废气经吸收过滤后外排，净化效率为80%，排气量9375m3/h，排气筒高15m。 各车间生产废水均经预处理后送该厂污水处理站，污水处理站出水达标后排入厂南1km处的小河。各车间废水预处理设施、污水处理站的出水水质见下表： 拟建工程废水处理设施出水水质一览项目废水量/(m3/h)COD/(mg/L)磷酸盐/(mg/L)总镍/(mg/L)六价铬/(mg/L)pH值生产车间预处理阳极氧化废水7020030.00.20.19.0化学镀镍废水645030.04.00.27.0涂装废水106.02.020.03.0电镀废水37010.00.92.03.0污水处理站80460≤0.5≤0.5≤0.17.7《污水综合排放标准》限值 1000.51.00.56～9 (注：二甲苯排气筒高度15m，《大气污染物综合排放标准》规定最高允许排放速率为1.0kg/h，最高允许排放浓度为70mg/m3。) 为评价废气排放造成的污染影响，还需调查清楚哪些内容
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