题目内容

在功率晶体管的主电路中，为了有效地抑制di/dt和du/dt，则应设置 ( )。

A. 触发电路
B. 控制电路
C. 开关电路
D. 缓冲保护电路

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下列器件导通过程中，具有电导调制效应的器件有（）。

A. SCR
B. GTO
C. POWER MOSFFET
D. IGBT

IGBT是（）和（）器件的复合器件。

A. SCR
B. GTO
C. POWER MOSFFET
D. GTR

下列常见电力电子电路中，不可实现有源逆变的电路为（）。

A. 三相半控桥整流电路
B. 三相桥式全控整流电路
C. 单相全波可控整流电路
D. 单相桥式半控整流电路

三相桥式可控整流电路带阻感性负载，电路正常工作时，共阳极组三个晶闸管的触发脉冲相位互差的电角度为( )。

A. 60°
B. 90°
C. 120°
D. 150°