题目内容

（3）运放的共模抑制比${K_{{\rm{CMR}}}} = \left| {\frac{{{A_{\rm{d}}}}}{{{A_{\rm{c}}}}}} \right|$。

A. Yes
B. No

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

（4）增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。

A. Yes
B. No

（3）增强型MOS管在$u_{\rm {GS}}$＞0、$u_{\rm {GS}}$ ＜0、 $u_{\rm {GS}}$ ＝0时均可导通。

A. Yes
B. No

（2）当$u_{\rm {GD}}$＝$u_{\rm {GS}(th)}$时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。

A. Yes
B. No

N沟道绝缘栅型增强型场效应管判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）当$u_{\rm {GS}}$增大到$u_{\rm {GS}(th)}$时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。

A. Yes
B. No