题目内容

热平衡时，半导体的电子空穴浓度之积为常数，该常数与下列哪些选项相关（）

A. 杂质浓度
B. 杂质类型
C. 禁带宽度
D. 温度

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有效的复合中心能级位置在（）附近。

A. 费米能级处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 禁带中央

室温下，费米分布函数在费米能级处的值为（）

A. 0
B. 0.5
C. 0.56
D. 1

下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）

A. 硼掺杂的硅
B. 磷掺杂的硅
C. 纯净的硅
D. 硼磷共掺杂的硅

已知半导体ZrO2，CdS，Fe2O3，Si的禁带宽度分别为5eV，2.4eV，2.1eV，1.3eV，理论上作为光催化剂，哪些可以利用部分或全部的可见光（）

A. Si
B. Si、Fe2O3
C. Si、Fe2O3、CdS
D. Si、Fe2O3、CdS、ZrO2