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LED采用倒装芯片结构,即FC-LED,可以改善LED的散热性能。( )

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自发辐射和受激辐射最重要的区别就是是否有外来激励作用。( )

PN结势垒电容与轻掺杂浓度有关,浓度越大,电容越大;而反向偏压越大,势垒电容减大。( )

pN异质结和同质结相似,耗尽区宽度与()成反比。

A. 掺杂浓度
B. 势垒高度
C. 外加偏压

UV-LED一般选用AlxGa1-xN/AlyGa1-yN,x > y多量子阱作为活性发光层,那么其发光波长(颜色)由多量子阱中()材料的禁带宽度决定。

AlxGa1-xN
B. AlyGa1-yN
C. AlxGa1-xN/AlyGa1-yN