题目内容

MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A. 基区宽度调变效应
B. 漏区静电场对沟道的反馈
C. 有效沟道调制效应
D. 阈电压的短沟道效应

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上端固定、竖直悬挂的均匀棒长为L，其“打击中心”位于悬点之下处，“打击中心”是指，在此处沿垂直方向，打击或撞击悬棒时，悬点处棒所受的冲击力最小。

A. 1/12
B. 1/2
C. 2/3
D. 1/3

法国雕塑家（）说：“艺术就是宗教”。

A. 罗丹
B. 莫奈
C. 雷诺阿
D. 塞尚

不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。

A. 两者均几乎为零
B. 均为常数
C. 两者相等
D. 两者均随位置变化

在二十世纪四十年代初奠定了通信的数字理论基础。

A. 拉普拉斯
B. 维纳
C. 香农
D. 麦克斯韦