题目内容

用于测试硅片中少数载流子类型的测试是()。

A. 四探针法
B. X射线法
C. 整流法
D. 显微镜观察法

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太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。

A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷

PCD方法可用于测量()。

A. 电阻率
B. 由翘度
C. 平整度
D. 少子寿命

对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是()。

A. 节能
B. 降低物起
C. 节约时间
D. 减少污染

吸附时不发生任何化学变化，是()。

A. 化学吸附
B. 不可逆过程
C. 物理吸附
D. 以上皆不是