(2分)单选题 2 采用真空提高绝缘强度的理论依据是( )。
A. 汤逊理论
B. 流注理论
C. 巴申定律
D. “小桥”理论
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(2分)单选题 2 汤逊理论认为初始电子崩的出现主要是()引起的。
A. 碰撞游离
B. 光游离
C. 金属表面游离
D. 热游离
(2分)单选题 2 SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是()。
A. 无色无味性
B. 不燃性
C. 无腐蚀性
D. 电负性
(2分)单选题 2 流注理论未考虑()的现象。
A. 碰撞游离
B. 表面游离
C. 光游离
D. 电荷畸变电场
(2分)单选题 2 均匀电场中,电子崩中的空间电荷对电场的畸变使()的电场被削弱了。
A. 崩头前方附近
B. 崩头内部正、负电荷交界处
C. 崩尾部分
D. 整个空间
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