题目内容

已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是U_DS＞0，U_GS＞U_GS(th)＞0。该场效晶体管为( )。

A. E型NMOS管
B. E型PMOS管
C. D型NMOS管
D型PMOS管

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A. 500
B. 600
C. 700
D. 800

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（单选题）为了确保本项目工期目标的实现，应重点控制关键工作（）。

ABDF
B. ACEF
C. ABEF
D. ACDF