LED结构中为了改善电流分布,可以做厚的窗口层或者电流扩散层。( )
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改变LED的表面结构及外形,使用组织结构表面或粗糙表面的目的是提高光取出效率。( )
MBE系统中可以利用RHEED图样实时观察样品表面的形貌变化,从而判断薄膜的生长模式:当图样是斑点图案时,表明晶体为二维平面生长模式,表面比较粗糙。( )
量子阱结构中其两个相邻势阱中的电子波函数可以互相耦合,而超晶格结构中两个相邻势阱中的电子波函数不能互相耦合。( )
GaN基蓝光LED采用PSS图形衬底技术即可提高内量子效率,也可同时提高外量子效率。( )