14. 以下缺陷，采用介质损耗角正切（tanδ）测量可发现的是（）
A. 整体性缺陷
B. 小电容试品严重缺陷
C. 大电容试品微米气泡缺陷
D. 样品受潮
查看答案
13. 以下因素，可以明显影响介质损耗角正切（tanδ）测量结果的是（）
A. 外界电磁干扰
B. 试品表面泄漏电流
C. 温度湿度
D. 试品电容
12. 关于局部放电测试中的“视在放电量”，以下描述正确的是（）
A. 视在放电量用单位 pC表示
B. 视在放电量是缺陷处的真实放电电流
C. 视在放电量需要校准后得到
D. 同一试样，视在放电量大小与放电电流成正比
11. 绝缘电阻测试可发现以下哪（种）些缺陷（）
A. 绝缘整体受潮
B. 局部严重缺陷
C. 绝缘的老化状态
D. 绝缘表面污秽
10. 以下方法，属于局部放电电气检测法的是（）
A. 油色谱法
B. 泄漏电流测量
C. 脉冲电流法
D. 介质损耗法
微信支付 
支付宝支付