题目内容

具有闪锌矿结构的半导体材料为（）

A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. CdTe

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本征锗中掺入III价元素杂质，为（）型半导体

A. 空穴
B. 施主
C. 电子
D. n型

硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处

A. ＜110＞
B. ＜100＞
C. ＜111＞
D. [110]

使用考马斯亮蓝法测定蛋白质时，待测样品蛋白质含量应在10~100µg之间（）

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）

A. 硅
B. 锗
C. 砷化镓
D. 碳