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1．采用载流子扩散与漂移的观点分析结空间电荷区的形成．

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一个MOS器件的x_o=100nm，qφ m = 4.0eV ， qφ s = 4.5eV，二氧化硅相对介电常数ε_ro=4，并且单位面积下有10¹⁶cm^-2的均匀正氧化层电荷，计算它的平带电压．

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