题目内容

能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（）

A. MOSFET
B. GTR
C. IGBT
D. GTO

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无缝道岔尖轨及前方（）范围内的作业轨温应在实际锁定轨温±10℃范围。

A. 15m
B. 20m
C. 25m
D. 30m

在THDS-A设备（哈科所）探测站中出现环温-50度或+150度，与（）无关。

A. 环温头
B. AD采集卡
C. 前放板
D. IO控制卡

无缝线路直线地段作业轨温在实际锁定轨温-10℃及以下时进行改道、垫板作业最多连续松开扣件个数为（）。

A. 9个
B. 15个
C. 20个
D. 40个

无缝线路曲线半径小于2000m地段作业轨温在实际锁定轨温-10℃及以下时进行改道、垫板作业最多连续松开扣件个数为（）。

A. 9个
B. 15个
C. 20个
D. 40个