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解决晶闸管串并联均流的措施是（）。

A. 并联R
B. 并联RC
C. 串L
D. 串联RL

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IGBT关断时施加（）有利于减小关断时间和关断损耗。

A. -5~-10V
B. -10~-15V
C. -5~-15V
D. -15~-20V

Power MOSFET的驱动电压为（）。

A. 5~10V
B. 10~15V
C. 5~15V
D. 15~20V

晶闸管长期安全运行流过工频正弦半波有效值为157A,则IT(AV)为（）。

A. 157A
B. 141A
C. 222A
D. 100A

限制晶闸管断态电压临界上升率是为了防止（）。

A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 误导通
D. 热损坏