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半导体光电探测器件中,结构最为简单的是光敏电阻,其结构中无PN结,无极性,使用方便。( )

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光敏电阻的暗电阻越大,亮电阻越小则性能越好,灵敏度高。( )

利用()的光电探测器,探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把其转化为晶格的热动能,引起探测元件温度上升,由此引起探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。

A. 光子效应
B. 光热效应
C. 光电效应

()是指探测器在波长为λ的单色光照射下,输出电压或电流与入射的单色光功率之比。

A. 光谱响应度
B. 电压响应率
C. 电流响应率

光子器件和热电器件的主要区别为()。

A. 光子器件的响应与入射波长有关,一般具有截止波长
B. 热电器件的响应和入射光的波长无关,对各种波长的光都能响应
C. 光子器件响应快
D. 热电器件响应慢,ms量级,频率响应慢