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有一个16K×16K位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片(内部结构为64×16，引脚同SRAM)构成，问： (1)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少 (2)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期设读/写周期为0.1μs，死时间率是多少

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