LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks＞＞hg，此时淀积速率的特点为：

A. 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B. 淀积速率受气相质量输运控制；
C. 淀积速率受表面化学反应控制；
D. 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。