理想MIS（p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
A. 半导体表面附近的空穴不能产生
B. 半导体表面附近的电子不能产生
C. 半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
D. 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
E. 半导体发生了深耗尽
F. 以上均不是
刘文只购买辣条和冰激凌，它有固定收入，不能借钱。如果他购买的组合位于预算线之（）是（）的。
A. 内，不能实现
B. 外，不能实现
C. 上，不能实现
D. 右边，能实现
真彩色图像的像素深度是（） 位。
A. 24
B. 32
C. 48
D. 64
某寝室有两台电脑，4个手机和2个平板，所有设备无线连接到一个路由器上，请问该寝室的网络属于下面哪种？
A. 环形拓扑结构
B. 星形拓扑结构
C. 总线型拓扑结构
D. 树型拓扑结构
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