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耗尽型场效应管在不加偏压时()(2)

A. 没有沟道不能导通;
B. 有沟道但不能导通;
C. 没有沟道但可以导通;
D. 有沟道可以导通。

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N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2)

A. uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ;
B. uGSGS(th),uGDGS(th) ;
C. uGS>uGS(th),uGDGS(th) ;
D. uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。

在差动放大电路中,一般以电流源代替发射极公共电阻RE,其目的是()(2)

A. 提高差模电压放大倍数;
B. 提高共模电压放大倍数;
C. 提高共模抑制比;
D. 提高差模输入电阻。

运算放大器的共模抑制比是指()(2)

A. 共模电压增益之倒数,用分贝表示;
B. 差模电压增益与共模电压增益之比,用分贝表示;
C. 差模电压增益之倒数,用分贝表示;
D. 输入端加入共模信号,输出端的残余输出电压。

漂移运动是()(2)

A. 由载流子浓度差引起的载流子的运动;
B. 由内电场作用引起的载流子的运动;
C. 由外加电源作用引起的载流子的运动;
D. 由温度作用引起的载流子的运动。

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