题目内容

关于均匀加宽物质的增益饱和,下列错误的是( )

A. ,随着光强的增加,增益曲线整体下压。
B. ,不同频率的光在增益曲线上不同的位置烧孔。
C. ,中心频率处饱和作用强,越偏离中心频率饱和作用越弱。
D. ,不同频率入射光对增益的影响是不同的

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单晶体的加工硬化包括（）阶段

A. 易滑移阶段
B. 线性硬化阶段
C. 抛物线硬化阶段
D. 易攀移阶段

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冷变形后，材料的变化有（）

A. 缺陷增加
B. 位错增殖
C. 物理性能、化学性能对结构变化敏感
D. 抗拉强度增大

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下列关于细晶强化的表述正确的是（）

A. 晶界上原子排列不规则，杂质和缺陷多，能量较高，阻碍位错的通过，即对塑性变形起阻碍作用。
B. 晶粒越细，在一定体积内的晶粒数目越多，则在同样的变形量下，变形分散在更多的晶粒内进行，变形较均匀，表现出更高的塑性。
C. 细晶粒金属材料中晶界多，材料开裂概率大。
D. 细晶粒金属应力集中小，晶界曲折多，裂纹不易萌生和传播。

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