A. 上芯顶针痕迹检查频次为1次/批 B. 在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格 C. MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良 D. 在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A. 120 B. 160 C. 220 D. 260
A. 根冠 B. 分生区 C. 伸长区 D. 成熟区
A. 四环素 B. 强力霉素 C. 制霉菌素 D. 庆大霉素 E. 环丙沙星
A. 1 B. 2 C. 3 D. 4 E. 5