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阻垢剂在生长晶核附近的扩散边界层内富集，形成双电层并阻碍垢离子或分子簇在金属表面凝结。这种阻垢机理叫做（ ）。
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阻垢剂会吸附到晶体的活性增长点上与成垢阳离子螯合，抑制了晶格按特有的次序排列，形成了不规则的或有较多缺陷的晶体，使晶格结构发生很大畸变。这种阻垢机理叫做（ ）。
阻垢剂能在金属传热面上形成一 种与无机晶体颗粒共同沉淀的膜，当这种膜增加 到一定厚度后，在传热面上破裂，并带一定大小的 垢层离开传热面。由于这种膜的不断形成和破裂， 使垢层的生长受到抑制。 这种阻垢机理叫做（ ）。
阻垢剂的链状结构可吸附多个相同电荷的微晶，由于这些微晶体带有相同的电荷，它们之间就会有静电斥力，从而阻碍了它们之间碰撞和大晶体的形成；当这种吸附产物碰到其它阻垢剂分子时，还会把吸附粒子交给其它阻垢剂分子，最终呈现出平均分散的状况，这种阻垢机理叫做（ ）。
阻垢剂的分子能与水中Ca2+、Mg2+等阳离子形成稳定的可溶性的螯合物（如EDTA可与Ca2+、Mg2+形成螯合物），从而阻止Ca2+、Mg2+与成垢阴离子（如CO32-、PO43-、SiO32-等）的接触，使得成垢的概率大大下降，使得冷却水中Ca2+、Mg2+的允许浓度相对提高，也就相应地增大了钙、镁盐的溶解度，这种阻垢机理叫做（ ）。
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