某公司拟在工业园区建设一电子元器件生产企业A厂。由于元器件生产以硅片为基材，经氨水清洗、氢氟酸/磷酸蚀刻、砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程见下图。 掺杂工序和化学镀工序流程 生产过程中产生的清洁下水、蚀刻废水、尾气洗涤塔废水、化学镀废水经预处理后进最终中和池，最终中和池出水排入园区污水处理厂。废水预处理后的情况见下表。园区污水处理厂处理能力为5.0万m3/d，目前实际处理量为3.3万m3/d，接管水质要求为COD 350mg/L，NH3-N 25mg/L，TP 8mg/L，其他指标需达到GB 8978—1996表1及表4三级排放标准(氟化物20mg/L，Cu 2.0mg/L，As 0.5mg/L)。氨水清洗工序产生的清洗废水中氨含量为0.02%，为降低废水中氨浓度，拟采取热交换吹脱法除氨，氨的吹脱效率为80%，吹脱出的氨经15m高排气筒排放(GB 14554—93规定，15m高排气筒氨排放量限值为4.9kg/h)。 废水预处理情况一览废水预处理方法排放规律水量/(m3/d))出水水质/(mg/L)CODNH3-NTPFAsCu清洗废水吹脱法连续120015040 蚀刻废水絮凝沉淀法连续36001505208 尾气洗涤塔废水絮凝沉淀法连续120200 1.0 化学镀废水絮凝沉淀法连续36050 5.0 给出掺杂工序和化学镀工序废水、废气特征污染因子。