题目内容

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（）

A. 上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B. 在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C. MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D. 在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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